Podręcznik
2. Charakterystyki prądowo-napięciowe tranzystora MOS
2.3. Zakres podprogowy
Dla małych napięć UGS w okolicy napięcia progowego rzeczywista wartość prądu drenu jest większa od prądu unoszenia nośników w kanale opisanego równaniem (2.13), a poniżej UT nie jest równa zeru. W takim zakresie pracy tranzystora, nazywanym zakresem podprogowym, należy uwzględnić składową dyfuzyjną prądu:
|
|
(2.18) |
![I_{dyf}=I_{0}exp(\frac{\varphi _{s}}{V_{T}})[1-exp(-\frac{U_{DS}}{V_{T}})],](https://esezam.okno.pw.edu.pl/filter/tex/pix.php/15888d3ad919f5ce38bb209e49319980.gif "I_{dyf}=I_{0}exp(\frac{\varphi _{s}}{V_{T}})[1-exp(-\frac{U_{DS}}{V_{T}})],")
gdzie potencjał powierzchniowy ulega nasyceniu osiągając wartość 2jF na granicy silnej inwersji, a czynnik I0 wyznaczany jest eksperymentalnie.
Obie składowe prądu drenu zilustrowano na rys. 2.3 (linia przerywana odpowiada składowej dyfuzyjnej bez uwzględnienia nasycania się wartości potencjału powierzchniowego):
Rys. 2.3 Charakterystyka przejściowa tranzystora MOS - składowe prądu drenu