Podręcznik

3. Komórki pamięci półprzewodnikowych MOS

Pamięci półprzewodnikowe służą przechowywaniu informacji binarnej, do której dostęp może być szeregowy lub swobodny:
-    Pamięci sekwencyjne to rejestry przesuwające, w których informacja przenoszona jest kolejno w łańcuchu komórek elementarnych w takt impulsów zegarowych. Oznacza to, że czas dostępu do określonej informacji zależy od jej aktualnego położenia w rejestrze.
-    Pamięci o dostępie swobodnym RAM (Random Access Memory) są zbudowane z komórek do których możliwy jest bezpośredni dostęp w jednakowym czasie.

Pamięci te mogą być realizowane jako statyczne i dynamiczne:
-    Pamięci statyczne nie wymagają odświeżania informacji, a ich komórki elementarne stanowią zwykle przerzutniki bistabilne.
-    Pamięci dynamiczne wymagają regeneracji przechowywanej informacji okresowym sygnałem zegarowym, ponieważ informacja ta przechowywana jest jako ładunek w kondensatorze (np. pojemności wejściowej tranzystora), rozładowywanym na skutek upływności i ewentualnie odczytu.

Pamięci o dostępie swobodnym obejmują:
-    pamięci stałe ROM – tylko do odczytu (Read Only Memory) umożliwiające wielokrotny odczyt trwale przechowywanej informacji,
-    pamięci do szybkiego zapisu i odczytu informacji oznaczane RWM (Read Write Menory) lub R/W RAM, a najczęściej w skrócie RAM.