Podręcznik
2. Definicje wzmocnienia
2.3. Wzmocnienie unilateralne
Przytoczone definicje pokazują, że wartość G zależy od generatora i obciążenia. Aby wyjaśnić ich rolę zdefiniujemy wzmocnienie unilateralne jako wzmocnienie obliczone w warunkach:
|
\(\mathrm{S_{12}=0};\) |
(2-15) |
Graf przepływu sygnału upraszcza się wtedy istotnie i otrzymujemy:
|
\( \mathrm{G_U=\frac{\left | S_{21} \right |^{2}(1-\left | \Gamma _G \right |^{2})(1-\left | \Gamma _L \right |^{2})}{\left | 1-\Gamma _G S_{11}\right |^{2}\left | 1 -S_{22}\Gamma _L\right |^{2}}};\) |
(2-16) |
Wyrażenie na wzmocnienie unilateralne GU można zapisać jako iloczyn 3 czynników:
|
\(\mathrm{G_U=G_1\left | S_{21} \right |^{2}G_2};\) |
(2-17) |
G1 reprezentuje tutaj wpływ dopasowania wrót wejściowych:
|
\(\mathrm{G_1=\frac{(1-\left |\Gamma _G \right |^{2})}{\left |1-S_{11}\Gamma _G \right |^{2}}};\) |
(2-18) |
G1 osiąga wartość maksymalną dla \(\mathrm{\Gamma _G=S_{11}^{*}}\):
|
\(\mathrm{G_{1MAX}=\frac{1}{1-\left | S_{11} \right |^{2}}};\) |
(2-19) |
G2 reprezentuje wpływ dopasowania wrót wyjściowych:
|
\(\mathrm{G_2=\frac{(1-\left |\Gamma _L \right |^{2})}{\left |1-S_{22}\Gamma _L \right |^{2}}};\) |
(2-20) |
G2 osiąga wartość maksymalną dla \(\mathrm{\Gamma _L=S_{2}^{*}}\) :
|
\(\mathrm{G_{2MAX}=\frac{1}{1-\left | S_{22} \right |^{2}}};\) |
(2-21) |
Można teraz zapisać formułę końcową:
|
\( \mathrm{G_{UMAX}=\frac{\left | S_{21} \right |^{2}}{(1-\left | S_{11}\right |^{2})(1-\left | S_{22}\right |^{2})}};\) |
(2-22) |
Końcowy wniosek jest wielkiej wagi. Wzmocnienie tranzystora może być istotnie większe od wartości określonej transmitancją |S21|2, jeżeli tylko odpowiednio dopasować dwuwrotnik. Wpływ obwodów dopasowujących jest oczywiście różny dla różnych częstotliwości.