Podręcznik

1. Obwody rezonansowe i rezonatory

1.1. Obwód rezonansowy szeregowy

Wykład poświęcony jest prawie w całości rezonatorom mikrofalowym, elementom o bardzo różnych konstrukcjach i rozmiarach, zwykle wykorzystującym odcinki prowadnic falowych. Jednakże opis zjawiska rezonansu wygodnie jest wprowadzić przez analizę idealnego obwodu rezonansowego o stałych skupionych, pokazanego na rys.1.1. Obwód ten nazywany jest szeregowym obwodem rezonansowym. Składa się on z:
•    idealnego źródła napięciowego UG o rezystancji wewnętrznej RG,
•    szeregowego obwodu rezonansowego L, C, R.
Prąd I płynący w obwodzie obliczamy z zależności (1-1), zgodnie z prawem Ohma: 

  

\mathrm{I}=\frac{\mathrm{U_G}}{R_G+\mathrm{Z}}\, \, \mathrm{gdzie\, \, Z}=R+j(\omega L-1/\omega C);

(1-1)  


 
 Rys.1.1. Obwód rezonansu szeregowego. A) Elementy obwodu. 
B). Krzywa rezonansowa przepływu prądu w obwodzie


Przyjmijmy dalej, że źródło napięciowe zmienia swoją częstotliwość f=\omega /2\pi , nie zmieniając przy tym wartości amplitudy |UG|. Obliczamy następnie zależność amplitudy prądu |I| płynącego w obwodzie od częstotliwości f otrzymując wykres pokazany na rys.1.1b. O otrzymanej charakterystyce mówimy, że ma charakter rezonansowy.  Maksymalną wartość prądu |I| otrzymujemy dla pulsacji \omega =\omega _0, zwaną pulsacją rezonansową. Jej wartość, zgodnie z zależnością (1-2), zależy od iloczynu LC

  

\omega _0^{2}=\frac{1}{LC};

(1-2)  

Dla częstotliwości rezonansowej amplituda prądu w obwodzie osiąga wartość wielokrotnie większą, niż w jej sąsiedztwie. W rezonansie impedancja Z jest czysto rzeczywista Z = R, a jej moduł osiąga wartość minimalną. Jednocześnie prąd płynący w obwodzie ma wartość maksymalną:

  

I=I_m=\frac{U_G}{R+R_G};

(1-3)  

Na zjawisko rezonansu można spojrzeć od strony energii zgromadzonych w obwodzie. I tak średnia energia pola magnetycznego WH zgromadzona w polu magnetycznym wytwarzanym przez indukcyjność, związana jest z wartością prądu zależnością (1-4):

  

W_H=\frac{1}{4}\left | \mathrm{I} \right |^{2}L;

(1-4)  

Średnia energia pola elektrycznego WE zgromadzona w polu elektrycznym wytwarzanym przez pojemność, może być wyznaczona na podstawie związku (1-5):

  

W_E=\frac{1}{4}\left | \mathrm{U_C} \right |^{2}C=\frac{1}{4}\left | \mathrm{I} \right |^{2}\frac{1}{\omega ^{2}C};

(1-5)  

Dla pulsacji rezonansowej (\omega =\omega _0 i f0) obie energie są sobie równe, a ich suma osiąga wartość maksymalną: 

  

W_H=W_E;\, \, W_H+W_E=\mathrm{maks.}

(1-6)  

 Wnioski powyższe są podstawą uogólnionej definicji częstotliwości rezonansowej rezonatora.
Charakterystycznym parametrem krzywej rezonansowej z rys.1.1b jest jej szerokość \Deltaf. Parametr ten związany jest z dobrocią obwodu rezonansowego. Dobroć całkowita QL może być zdefiniowana w oparciu o kształt krzywej rezonansowej, bądź w oparciu o parametry obwodowe: 

  

Q_L=\frac{f_0}{\Delta f}=\frac{\omega _0L}{R+R_G};

(1-7)  

 Definiowane są także: dobroć własna Q0 i dobroć zewnętrzna QZ:   

  

Q_0=\frac{\omega ^{2}L}{R};\, \, Q_z=\frac{\omega ^{2}L}{R_G};

(1-8)  

      Związek między trzema zdefiniowanymi dobrociami jest oczywisty: 

  

\frac{1}{Q_L}=\frac{1}{Q_0}+\frac{1}{Q_z};

(1-9)  

 Impedancja Z zapisana zależnością (1-1) może być wyrażona w formie z użyciem dobroci: 

  

\mathrm{Z}=R[1+j\omega Q_0(\frac{\omega }{\omega _0}-\frac{\omega_0 }{\omega})]\cong R(1+j2Q_0\frac{\delta \omega }{\omega_0});

(1-10)  

Impedancja szeregowego obwodu rezonansowego może być wyrażona uniwersalną zależnością słuszną dla każdego przypadku. Obliczymy moc strat PR wydzieloną na rezystancji R:

  

P_R=\frac{1}{2}\left | \mathrm{I} \right |^{2}R;

(1-11)  

 Możemy teraz zapisać impedancję Z(\omega) następująco:

  

\mathrm{Z}(\omega )=\frac{P_R+j2\omega (W_H-W_E)}{\left | \mathrm{I} \right |^{2}/2};

(1-12)  

Zależność (1-12) jest słuszna dla każdego jednowrotnika i ilustruje ścisły związek między modelem obwodowym a polowym każdego obwodu, w tym przypadku rezonansowego.