Podręcznik

- wzmocnienie napięciowe zwykłe k_uo (gdy R_G = 0)

Rys. 6: Co "widzi" baza i sygnał u_b

Od strony bazy B tranzystora (wejście wtórnika) w kierunku jego emitera E (wyjście) „widać” układ rezystancji, pokazany na rys. 6.

Uwzględniono na nim pozorne, (β+1)-krotne zwiększenie rezystancji R_E i R_O[1]

A więc napięcie na wyjściu wtórnika jest równe:

\(u_o=u_b⋅\frac{(β+1)⋅(R_E∥R_O)}{r_{b"e}+(β+1)⋅(R_E∥R_O)}\)

Stąd wzmocnienie zwykłe wtórnika emiterowego wynosi:

\(k_{uo}=\frac{u_o}{u_b}=\frac{(β+1)⋅(R_E∥R_O)}{r_{b"e}+(β+1)⋅(R_E∥R_O)}\)

\(k_{uo}≈\frac{β⋅(R_E∥R_O)}{rb"e+β⋅(R_E∥R_O)}=\frac{R_L}{r_{eb"}+R_L}\)

i najczęściej jest bardzo bliskie 1 V/V (choć oczywiście zawsze od jedności mniejsze).

- wzmocnienie napięciowe skuteczne k_uso (gdy R_G > 0)

Rys. 7: Podział napięcia na wejściu wtórnika

Przy obliczaniu wzmocnienia skutecznego należy uwzględnić dzielnik napięciowy, jaki tworzą na wejściu układu rezystancje R_G i r_we (rys. 7).

Napięciowe wzmocnienie skuteczne jest więc równe:

\(k_{uso}=\frac{u_o}{e_g}=\frac{r_{we}}{r_{we}+R_G}⋅k_{uo}\)

Jeśli przyjmie się założenie, że k_uo ≈ 1 (czyli że r_b'e << β(R_E || R_O), można napisać:

\(k_{uso}=\frac{R_B∥[(β+1)⋅(R_E∥R_O)]}{R_G+R_B∥[(β+1)⋅(R_E∥R_O)]}\)

\(k_{uos}≈\frac{R_B∥[β⋅(R_E∥R_O)]}{R_G+R_B∥[β⋅(R_E∥R_O)]}\)

Oczywiście bardzo dociekliwy czytelnik-aptekarz może samodzielnie (i na własną odpowiedzialność) wyprowadzić pełny, niezawierający żadnych przybliżeń, wzór na skuteczne wzmocnienie napięciowe wtórnika emiterowego, czyli z uwzględnieniem rezystancji r_b'e = (β+1) · r_eb'.