Podręcznik

4. Wtórnik emiterowy

4.9. Wtórnik emiterowy a sygnały o stromych zboczach

Tranzystor we wtórniku emiterowym może się wyłączyć nie tylko w wyniku doprowadzenia do jego wejścia sygnału o zbyt dużej amplitudzie, ale też w wyniku doprowadzenia sygnału impulsowego o bardzo stromym zboczu.

Rys. 10: Wtórnik emiterowy obciążony pojemnością

 

Na rys. 10 został pokazany przykład wtórnika emiterowego, którego obciążeniem, oprócz rezystancji RO, jest też pojemność CO. Do wejścia wtórnika jest doprowadzony sygnał prostokątny o bardzo stromych zboczach (załóżmy, że ich czas narastania tn ≈ 0) i czasie trwania tw. Tym razem - dla uwypuklenia zjawiska - założono, że rezystancja wewnętrzna źródła sygnału RG jest bardzo mała (na rysunku po prostu zerowa) - bo z rezystancji RG i z pojemności wejściowej wtórnika tworzyłby się układ całkujący, spowalniający zmiany napięcia na bazie tranzystora. Założono też dla uproszczenia, że pojemność sprzęgająca wtórnik z obciążeniem jest tak duża, że w czasie trwania opisywanych dalej zjawisk nie ulegnie znaczącemu przeładowaniu. Można ją wtedy traktować jako źródło napięciowe o wartości UEQ.

Obciążenie wtórnika "czystą" pojemnością (kondensatorem) można uznać za sytuację szczególną, ale należy pamiętać, że w rzeczywistości każde obciążenie (np. kolejny stopień wzmacniacza, przewód, ścieżka na płytce drukowanej) stanowi mniejszą lub większą pojemność. Innym przypadkiem, kiedy opisywane niżej zjawisko jest bardzo znaczące i może powodować spore problemy, jest sterowanie kluczy zbudowanych z tranzystorów unipolarnych dużej mocy. Mają one pojemności wejściowe sięgające nanofaradów.

Przeanalizujemy zachowanie się wtórnika z obciążeniem pojemnością w dwóch sytuacjach:

a) gdy na wejściu pojawia się zbocze narastające,

b) gdy na wejściu pojawia się zbocze opadające.

 

a) zbocze narastające

Potencjał na bazie tranzystora zaczyna szybko rosnąć. Tak samo szybko powinien rosnąć potencjał na emiterze, jednak jest to niemożliwe. Pojemności CO nie da się przeładować nieskończenie szybko, więc zmiana potencjału emitera "spóźnia się" w stosunku do zmiany potencjału bazy. To sprawia, że chwilowo wzrasta napięcie uBE, co powoduje (czytelnik jest proszony o przypomnienie sobie kształtu charakterystyki prądowo - napięciowej złącza półprzewodnikowego!) gwałtowny wzrost prądu emitera tranzystora. Ten "dodatkowy" prąd wpływa do pojemności CO i przyspiesza jej przeładowywanie. A więc można powiedzieć, że działa tu mechanizm: "im bardziej kondensator hamuje wzrost napięcia, tym intensywniej jest ono zmieniane". Popularnie mówi się, że wtórnik emiterowy z tranzystorem NPN "dobrze ciągnie napięcie wyjściowe w górę". Zbocze narastające sygnału prostokątnego jest spowalniane w minimalnym stopniu.

 

b) zbocze opadające

Rys. 11: Wtórnik emiterowy i opadające zbocze sygnału prostokątnego

Niestety przy pojawieniu się na wejściu wtórnika emiterowego zbocza opadającego sytuacja jest zupełnie odmienna od tej, którą opisano poprzednio. Tym razem pojemność CO sprawia, że napięcie na wyjściu wtórnika nie może się szybko obniżyć. Potencjał emitera, podobnie jak w przypadku a), jest chwilowo utrzymywany przez potencjał okładki kondensatora na stałym poziomie, za to potencjał bazy spada w takt zmian napięcia wejściowego. W rezultacie pojawia się gwałtowny spadek napięcia UBE tranzystora, bo potencjał emitera jest "przytrzymany" przez kondensator i w pierwszej chwili po pojawieniu się opadającego zbocza sygnału wejściowego zostaje na początkowym poziomie. To sprawia, że tranzystor może się na chwilę wyłączyć. Po wyłączeniu się tranzystora schemat zastępczy wtórnika wygląda tak, jak na rys. 11.

Rys. 12: Obwód rozładowania pojemności CO

Kondensator rozładowuje się więc tylko przez rezystancję RL = RO || RE (rys. 12). Charakter tych zmian jest inny niż w przypadku a), teraz napięcie na emiterze tranzystora będzie asymptotycznie dążyło do pewnej wartości końcowej,  a charakter zmian będzie wykładniczy. Tranzystor nie bierze udziału w rozładowywaniu pojemności CO i włączy się ponownie dopiero wtedy, kiedy napięcie na kondensatorze CO stanie się znów niższe od napięcia na bazie tranzystora o około 0,7 V. Zanim to nastąpi, napięcie na wyjściu wtórnika opada wykładniczo ze stałą czasową τ = (RO || RE) ∙ CO. Jako że rezystancja RO || RE jest zwykle dużo większa (nierzadko o rzędy wielkości) od rezystancji wyjściowej działającego wtórnika, zbocze opadające na wyjściu wtórnika emiterowego może być wielokrotnie dłuższe od zbocza narastającego.

Odpowiedź wtórnika z rys. 10 na pobudzenie krótkim impulsem o bardzo szybkich zboczach i o amplitudzie EG pokazano na rys. 13.

Rys. 13: Przebieg napięcia na wyjściu wtórnika obciążonego pojemnością

PRZYKŁAD 7
Jaki będzie czas trwania zbocza opadającego przy pobudzeniu wtórnika z przykładu 2, pobudzonego impulsem prostokątnym o amplitudzie 1 V, obciążonego pojemnością CO = 10 nF?

Stała czasowa rozładowania pojemności CO wynosi:

τ=C_O⋅(R_E∥R_O)=10nF⋅1,2kΩ=12μs

Napięcie UEQ jest równe:

U_{EQ}=U_{EE}+R_E⋅I_{EQ}=-5V+3kΩ⋅2mA=1V

Asymptota przebiegu napięcia wyjściowego uO:

U_∞=\frac{(U_{EE}+U_{EQ})⋅R_O}{(R_E+R_O) }=\frac{(-5V+1V)⋅1kΩ}{3kΩ+1k}=-1V

Można więc obliczyć czas trwania zbocza opadającego to jako czas trwania przebiegu wykładniczego obciętego:

t_o=τ⋅ln((E_G-U_∞)/E_G )≈8,32μs