Podręcznik

5. Wtórnik źródłowy

Wadą wtórnika emiterowego jest jego „przezroczystość”. Od strony wejścia „widać” rezystancję obciążenia (ma ona wpływ na rezystancję wejściową wtórnika) i podobnie jest od strony wyjścia: rezystancja źródła sygnału jest składnikiem rezystancji wyjściowej. To sprawia, że stopień transformacji impedancji przez wtórnik emiterowy jest ograniczony i niełatwo jest osiągnąć ogromną rezystancję wejściową oraz jednocześnie bardzo małą rezystancję wyjściową. Mało tego: jeśli rezystancja (czy bardziej ogólnie: impedancja) obciążenia zmienia się np. w zależności od częstotliwości, czasu, temperatury), podobnie zmienia się rezystancja widziana od strony wejścia wtórnika emiterowego.
To zjawisko bywa bardzo niepożądane, na przykład na wejściach przyrządów pomiarowych.

Odmiennie od wtórnika emiterowego, zbudowanego przy użyciu tranzystora bipolarnego, zachowuje się wtórnik źródłowy, wykorzystujący tranzystor unipolarny w układzie ze wspólnym drenem.
Na rys. 14 zostały pokazane schematy najprostszych wtórników źródłowych: z tranzystorem unipolarnym złączowym (J-FET) i z tranzystorem zubożanym z izolowaną bramką (MOS).
W obu przypadkach są to układy z najczęściej stosowanymi tranzystorami z kanałem typu N. Taki typ tranzystora będzie omawiany w poniższych rozważaniach, czytelnikowi pozostawia się „przetłumaczenie” ich na przypadek tranzystora z kanałem typu P.

Rys. 14: Podstawowe schematy wtórnika: z tranzystorem unipolarnym złączowym (a), oraz tranzystorem unipolarnym (b)