Podręcznik

W poprzednim podpunkcie założyliśmy, że pomijamy wpływ sterowania zmianami potencjału podłoża na parametry tranzystora MOS. Założenie to było prawdziwe, gdyż przyjęliśmy, że potencjał pomiędzy źródłem i podłożem jest stały i wynosi 0V. Jednakże częstym przypadkiem wtórników źródłowych z tranzystorami MOS są wtórniki, w których podłoże jest na stałe dołączone do masy (lub innego najniższego potencjału w układzie scalonym). W tej sytuacji okazuje się, że jakakolwiek zmiana potencjału źródła (czyli wyjścia wtórnika) jest jednocześnie zmianą różnicy potencjałów podłoża i źródła. Oczywistym jest, że wpłynie to na prąd drenu tranzystora a więc i rezystancję wyjściową.
Jak już zauważyliśmy, to transkonduktancja g_m jest jedynym czynnikiem (po stronie tranzystora) wpływającym na rezystancję wyjściową wtórnika. Jeśli założymy dodatkowo, że we wtórniku z „pływającym” napięciem pomiędzy podłożem a źródłem istnieje dodatkowy mechanizm sterujący tranzystorem MOS, to można przyjąć, że oprócz transkonduktancji g_m istnieje dodatkowy mechanizm, mianowicie transkonduktancja g_mb. Tyle, że za ten drugi mechanizm odpowiada napięcie między podłożem a źródłem, a nie jak w przypadku gm napięcie między bramką a źródłem. Stąd, wyjściowa rezystancja wtórnika w tym ogólnym przypadku może zostać przedstawiona jako:

$r_{wy0}=\frac{1}{g_m+g_{mb} }$ 

gdzie $g_m=\sqrt{2I_D\frac{W}{L}\mu c_{ox}}$   zaś   $g_{mb}=\frac{\gamma}{2\sqrt{_-\Phi _p-U_{BS}}}g_m$

f_p i g są to parametry technologiczne, tj. odpowiednio: potencjał powierzchniowy i parametr efektu naskórkowego.