Podręcznik
4. Jak się wytwarza układy scalone i ile to kosztuje
4.9. Układy CMOS w technologii STI
W nowszych technologiach obszary aktywne nie są od siebie oddzielane obszarami tlenku polowego, lecz rowkami trawionymi w głąb krzemu, a następnie wypełnianymi dielektrykiem (SiO2). Umożliwia to zmniejszenie powierzchni zajmowanej przez układ. Układy w technologii STI mają też zwykle wiele innych ulepszeń, na przykład więcej niż dwie warstwy połączeń. Przykładowy przekrój układu w technologii STI pokazuje rysunek 4-16. Widać tam również, że w układzie są dwa rodzaje wysp i warstwa epitaksjalna. Kontakty do źródeł i drenów (a także bramek) wykonane są w ten sposób, że najpierw okna kontaktowe są wypełniane metalem takim, jak na przykład molibden, a dopiero potem wykonywane są miedziane ścieżki połączeń.
Rysunek 4‑16. Przekrój przez układ w technologii STI z trzema warstwami połączeń miedzianych
Skrót STI pochodzi od angielskiego terminu „Shallow Trench Isolation”. Spotyka się też określenie DTI („Deep Trench Isolation”) w przypadku, gdy rowki izolujące obszary aktywne są głębsze.