Podręcznik
2. Model małosygnałowy tranzystora bipolarnego
2.2. Zakres małych częstotliwości
W tym zakresie można pominąć pojemności wewnętrzne tranzystora. Parametry h są wówczas liczbami rzeczywistymi i można je łatwo wyznaczyć analitycznie lub graficznie "metodą przyrostową" na podstawie charakterystyk statycznych:
|
\(h_{11e0}=\frac{\partial u_{BE}}{\partial i_{B}}\mid _{U_{CE}}\approx \frac{\Delta u_{BE}}{\Delta i_{B}}\mid _{U_{CE}}=\frac{U_{BE2}-U_{BE1}}{I_{B2}-I_{B1}}\mid _{U_{CE}}\:\) |
(2.13) |
|
\(h_{12e0}=\frac{\partial u_{BE}}{\partial u_{CE}}\mid _{I_{B}}\approx \frac{\Delta u_{BE}}{\Delta u_{CE}}\mid _{I_{B}}=\frac{U_{BE2}-U_{BE1}}{U_{CE2}-U_{CE1}}\mid _{I_{B}}\:\) |
(2.14) |
|
\(h_{21e0}=\frac{\partial i_{C}}{\partial i_{B}}\mid _{U_{CE}}\approx \frac{\Delta i_{C}}{\Delta i_{B}}\mid _{U_{CE}}=\frac{I_{C2}-I_{C1}}{I_{B2}-I_{B1}}\mid _{U_{CE}}\:\) |
(2.15)
|
|
\(h_{22e0}=\frac{\partial i_{C}}{\partial u_{CE}}\mid _{I_{B}}\approx \frac{\Delta i_{C}}{\Delta u_{CE}}\mid _{I_{B}}=\frac{I_{C2}-I_{C1}}{U_{CE2}-U_{CE1}}\mid _{I_{B}}\:\) |
(2.16) |
O wartościach parametrów h decydują nachylenia i przesunięcia między charakterystykami wejściowymi lub wejściowymi zmierzone w punkcie pracy:
Rys. 2.2 Rodzina statycznych charakterystyk wejściowych tranzystora bipolarnego
Rys. 2.3 Rodzina statycznych charakterystyk wyjściowych tranzystora bipolarnego
Charakterystyki statyczne prądowo-napięciowe tranzystora są nieliniowe. Zmianom punktu pracy towarzyszy zmiana wartości parametrów małosygnałowych, co ilustruje rys. Rhodic.
Rys. 2.4 Parametry h dla małych częstotliwości w funkcji prądu kolektora (normalizacja względem wartości odpowiadających IC = 1 mA)
Tab. 2.1 Przykładowe porównanie wartości parametrów h tranzystora w konfiguracji WE i WB
|
|
WE |
WB |
|
h11 |
1.1kW |
21.6W |
|
h12 |
2.5*10-4 |
2.9*10-4 |
|
h21 |
50 |
0.98 |
|
h22 |
25mS |
0.49mS |
|
1/h22 |
40kW |
2.04MW |