Podręcznik

Gdy długości kanałów tranzystorów zmniejszono poniżej 100 nanometrów, okazało się, że takie bardzo „krótkie” tranzystory nie dają się całkowicie wyłączyć. Nawet przy braku napięcia na bramce płynie niepomijalny prąd drenu – jest to prąd podprogowy. Zjawisko to można w pewnym stopniu ograniczyć wykonując kanał tranzystora w bardzo cienkiej warstwie krzemu (kilka nanometrów).  Rysunek 4-17 pokazuje przekrój przez tranzystor nMOS w technologii FDSOI (skrót od ang. „Fully Depleted Silicon on Insulator”). 

Rysunek 4‑17. Tranzystor MOS w technologii FDSOI

Obszar kanału tranzystora wykonany jest w bardzo cienkiej (kilka nanometrów) warstwie krzemu monokrystalicznego odizolowanej od podłoża warstwą dielektryka. Przy braku polaryzacji bramki obszar kanału jest całkowicie zubożony w nośniki ładunku. Podobna idea zrealizowana jest w technologii FinFET w inny sposób (rysunek 4-18). Kanał tranzystora znajduje się w wąskim, pionowym pasku krzemu (ang. „Fin”) otoczonym warstwą dielektryka i bramką. 

Rysunek 4‑18. Tranzystor MOS w technologii FinFET