Podręcznik
Wymagania zaliczenia
Zadanie pn. „SEZAM: System Edukacyjnych Zasobów Akademickich i Multimedialnych” realizowane w ramach projektu „NERW PW. Nauka – Edukacja – Rozwój – Współpraca” współfinansowanego ze środków Unii Europejskiej w ramach Europejskiego Funduszu Społecznego2. Charakterystyki prądowo-napięciowe tranzystora MOS
W rozdziale tym przedstawiono charakterystyki statyczne tranzystora MOS w zakresie nienasycenia, nasycenia i podprogowy. Krótko opisano wpływ polaryzacji podłoża na działanie tranzystora.
Dla dalszych rozważań wygodnie jest wstępnie założyć, że źródło jest zwarte z podłożem (UBS = 0, zatem potencjał bramki będzie odnoszony do potencjału źródła jako napięcie UGS), a ponadto pominąć zależność ruchliwości nośników od napięć polaryzujących.