Podręcznik

W rozdziale tym przedstawiono charakterystyki statyczne tranzystora MOS w zakresie nienasycenia, nasycenia i podprogowy. Krótko opisano wpływ polaryzacji podłoża na działanie tranzystora.

Dla dalszych rozważań wygodnie jest wstępnie założyć, że źródło jest zwarte z podłożem (U_BS = 0, zatem potencjał bramki będzie odnoszony do potencjału źródła jako napięcie U_GS), a ponadto pominąć zależność ruchliwości nośników od napięć polaryzujących.