Wzmacniacze mikrofalowe

Podstawową strukturę jednostopniowego wzmacniacza tranzystorowego pokazano na rys.4.5. Zasadniczymi elementami układu są:
•    wejściowy obwód dopasowujący D1,
•    tranzystor wzmacniający w konfiguracji wspólnego emitera/źródła,
•    wyjściowy obwód dopasowujący D2.

 Rys.4.5. Podstawowa struktura wzmacniacza

Analizując proces wzmocnienia w takim układzie przyjmujemy następujące założenia:
•    generator jest będący źródłem wzmacnianego sygnału jest bezodbiciowy Z_G=Z₀,
•    obciążenie dołączone do obwodu wyjściowego jest dopasowane Z_L=Z₀, 
•    obwody D1 D2 są bezstratne,
•    tranzystor jest bezwarunkowo stabilny.
Przyjęcie powyższych warunków upraszcza procedurę obliczeń. Tylko w niektórych przypadkach założenie bezstratności obwodów D1 i D2 może być z dobrym przybliżeniem przyjęte. Przedstawione zostaną dwa sposoby podejścia do projektowania obwodów dopasowujących wzmacniacza.
Pierwszy będzie oparty o wykorzystanie zależności umożliwiających uzyskanie dysponowanego wzmocnienia mocy wzmacniacza.
Drugi sposób oparty będzie o wykorzystanie zależności umożliwiających obliczenie wzmocnienia unilateralnego. Ten drugi jest sposobem uproszczonym, a uzyskane wyniki obarczone są błędem, najczęściej nieznacznym.