2. Statyczne bramki kombinacyjne CMOS

2.3. Zakłócenia i ich tłumienie

Drugim ważnym wymaganiem jest zdolność bramek do tłumienia zakłóceń. Skąd się biorą zakłócenia? Zakłócenia w układach cyfrowych mają zwykle charakter impulsów nakładających się na prawidłowy poziom napięcia reprezentujący „0” lub „1”. Impulsy takie mogą pochodzić z kilku źródeł:

  • pasożytnicze sprzężenia pomiędzy połączeniami (pojemnościowe, indukcyjne),
  • sprzężenia poprzez wspólne zasilanie,
  • zewnętrzne pola elektromagnetyczne,
  • promieniowanie jonizujące.

Wpływ sprzężenia między połączeniami ilustruje symbolicznie rysunek 2-2. Jeśli na jednej z dwóch położonych blisko siebie ścieżek pojawia się skokowa zmiana stanu logicznego, to na drugiej pojawia się krótki impuls wynikający z istnienia pojemności pomiędzy tymi ścieżkami (indukcyjność wzajemna też istnieje, ale ma zwykle drugorzędne znaczenie).

 

Rysunek 2 3. Zakłócenie wywołane sprzężeniem pojemnościowym: zmiana napięcia na ścieżce A indukuje impuls w ścieżce B

 

Sprzężenie poprzez wspólne zasilanie jest wywołane skończoną, niezerową rezystancją połączeń między blokami logicznymi, a ich zasilaniem. Jak zobaczymy dalej, bramki CMOS pobierają prąd w postaci krótkich, stromych impulsów. Rysunek 2-3 pokazuje, jak pobór prądu o takim charakterze wywołuje powstawanie i przenikanie zakłóceń impulsowych. Impuls prądu I_A  pobieranego przez blok logiczny A związany jest ze spadkiem napięcia na rezystancjach R1 i R2, i co za tym idzie wywołuje chwilowe zmniejszenie napięcia zasilającego V. Ten spadek napięcia o charakterze krótkiego impulsu jest widoczny nie tylko dla bloku A, ale i dla bloku B, ponieważ ich napięcie zasilania V jest wspólne.

 

Rysunek 2 2. Zakłócenie wywołane chwilowym spadkiem napięcia zasilania spowodowanym impulsowym poborem prądu

 

Zewnętrzne pola elektromagnetyczne mogą indukować zakłócenia w układach, ale ich wpływ na działanie układów cyfrowych na ogół nie jest zauważalny, chyba że są to bardzo silne pola. 

Promieniowanie jonizujące wywołuje w półprzewodniku generację par elektron-dziura, co powoduje przepływ impulsów zwiększonego prądu wstecznego w spolaryzowanych zaporowo złączach p-n, np. złączach źródeł i drenów tranzystorów. Może to zakłócać przede wszystkim działanie układów zwanych dynamicznymi, w których informacja jest reprezentowana przez ładunek zgromadzony w pojemności (o takich układach będzie mowa dalej).

Nawet najstaranniejsze zaprojektowanie i wykonanie układu oraz prawidłowa jego eksploatacja nie umożliwiają całkowitej eliminacji zakłóceń, toteż zdolność do tłumienia zakłóceń jest równie ważną cechą bramek logicznych, jak zdolność do regeneracji poziomów logicznych.
 

Zdolność bramki do tłumienia zakłóceń polega na tym, że impuls zakłócający ma na wyjściu bramki amplitudę mniejszą, niż na wejściu.