3. Praca impulsowa diody

3.1. Charakterystyki czasowe

Włączanie napięciowe złącza p-n

Przejściu ze stanu braku polaryzacji do stanu przewodzenia w wyniku sterowania ze źródła o stałej wydajności napięciowej towarzyszy pik prądowy, lecz o ograniczonej wysokości, ponieważ na skutek istnienia obwodu RsCj (rys. 2.1) skok napięciowy nie jest idealny:

 

Uzupelnij opis obrazka

Rys. 3.1 Włączanie napięciowe złącza p-n

 

Koncentracja nośników mniejszościowych na granicy warstwy zaporowej niemal natychmiast osiąga wartość określoną przez warunki Boltzmanna Ewboltz. W głębi bazy w miarę dyfuzyjnego dopływu wstrzykiwanych nośników ich koncentracja stopniowo rośnie i prąd ładowania pojemności dyfuzyjnej maleje (prąd dyfuzyjny Wjrgn jest proporcjonalny do gradientu koncentracji nośników).

 

Włączanie prądowe złącza p-n

Przypadek ten ma większe znaczenie praktyczne, ponieważ rezystancja obwodu Rg jest zwykle dużo większa od rezystancji przewodzącego złącza. Ładowanie pojemności dyfuzyjnej stałym prądem prowadzi do stopniowego wzrostu koncentracji w całej bazie – również na granicy warstwy zaporowej i tym samym stopniowego wzrostu spadku napięcia na tej warstwie (efekt pojemnościowy):

 

Uzupelnij opis obrazka

Rys. 3.2 Włączanie prądowe złącza p-n

 

Jeżeli dioda jest sterowana dużym prądem bazy, należy uwzględnić dodatkowo spadek napięcia na rezystancji szeregowej Erszl Rs. W miarę gromadzenia się nośników nadmiarowych w bazie rezystancja ta maleje (modulacja przewodności bazy) i wraz z nią spadek napięcia na diodzie (efekt indukcyjny).

 

Wyłączanie napięciowe złącza p-n

Wyłączeniu przez zwarcie złącza towarzyszy wsteczny impuls prądowy rozładowania pojemności dyfuzyjnej:

 

Uzupelnij opis obrazka

Rys. 3.3 Wyłączanie napięciowe złącza p-n

 

Koncentracja nadmiarowych nośników mniejszościowych na granicy warstwy zaporowej niemal natychmiast maleje do zera. Początkowo gradient koncentracji na tej granicy i tym samym prąd nośników usuwanych z bazy jest bardzo duży. Wartość piku prądu rozładowania pojemności dyfuzyjnej ogranicza rezystancja szeregowa Rs – zwarcie nie jest idealne.

 

Wyłączanie prądowe złącza p-n

Rozwarcie złącza powoduje natychmiastowy zanik spadku napięcia na rezystancji szeregowej. Dalsze stopniowe zmniejszanie spadku napięcia na diodzie (tzw. napięcia poiniekcyjnego) towarzyszy rekombinacyjnemu zanikowi nadmiarowych nośników zgromadzonych w bazie:

 

Uzupelnij opis obrazka

Rys. 3.4 Wyłączanie prądowe złącza p-n

Przełączanie quasi-prądowe złącza p-n

Największe znaczenie praktyczne ma przełączanie diody w warunkach, kiedy rezystancja w obwodzie (rezystancja generatora impulsów prostokątnych) Rg jest bardzo mała w porównaniu z rezystancją złącza polaryzowanego zaporowo i bardzo duża w porównaniu z rezystancją złącza przewodzącego w stanie ustalonym.

 

Uzupelnij opis obrazka

Rys. 3.5 Przełączanie quasi-prądowe złącza p-n

 

Przy przełączaniu diody „w przód” dodatni impuls napięciowy (odpowiadający polaryzacji przewodzenia) pojawia się z opóźnieniem odpowiadającym przeładowaniu pojemności warstwy zaporowej  Cj. Czas opóźnienia jest proporcjonalny do stałej czasowej RgCj i można go oszacować następująco:

 

 

t_{d}\approx \eta R_{g}C_{j0}ln(1+\frac{E_{R}}{E_{F}}),     \eta =\left\{\begin{matrix} 1.6\; \; dla\, N=const\\ 1.25 \: \: dla\, approx.\, liniowej \end{matrix}\right.

(3.1)  

Dalszy przebieg przełączania „w przód” odpowiada włączaniu prądowemu. Po przełączeniu na diodzie ustala się spadek napięcia:

 

 

U_{F}\approx V_{T}ln(\frac{IF}{I_{sq}})+I_{F}R_{S}\approx V_{T}ln(\frac{E_{F}R_{g}}{I_{sq}})+E_{F}\frac{R_{S}}{R_{g}}.

(3.2)  

 

Przełączenie diody „w tył” ma dwie fazy:

  • w czasie magazynowania ts konduktancja diody jest duża i możliwe jest wyprowadzanie z bazy nośników stałym prądem wstecznym określonym przez rezystancję obwodu:
 

I_{R}\approx \frac{E_{R}}{R_{g}},

(3.3)  

     a napięcie na diodzie odpowiadające polaryzacji przewodzenia, po gwałtownym spadku o wartość:

 

(I_{F}+I_{R})R_{S},

   

   stopniowo maleje do zera;

  • w czasie opadania tf rezystancja złącza staje się większa od rezystancji obwodu, ponieważ koncentracja nośników w bazie maleje i staje się niewielka, równocześnie wsteczny impuls prądowy zanika i napięcie polaryzacji zaporowej złącza narasta do wartości bliskiej ER:

Umowne granice faz dla eksperymentalnego wyznaczenia czasów: magazynowania i opadania, zaznaczono na rysunku:

Uzupelnij opis obrazka

Rys. 3.6 Impuls wsteczny prądu przy przełączaniu złącza p-n „w tył” i zmiany koncentracji nadmiarowych nośników mniejszościowych w bazie