Podręcznik

Możemy teraz porównać tranzystory MOS i bipolarne z punktu widzenia zastosowań w układach wzmacniaczy.
Porównamy wartość transkonduktancji - parametru, od którego w stopniach wzmacniających zależy wartość wzmocnienia napięciowego. Stosunek tych transkonduktancji wynosi

Dla jednakowych wartości prądów – drenu w tranzystorze MOS i kolektora w tranzystorze bipolarnym – transkonduktancja tranzystora bipolarnego jest kilkadziesiąt razy wyższa, bowiem ${kT}/{q}$ jest to napięcie mające wartość około 26 mV (przy temperaturze otoczenia), podczas gdy różnica napięć $V_{GS}-V_T$ w typowych warunkach pracy tranzystora MOS jest wielokrotnie większa. Dużo wyższa transkonduktancja czyni tranzystor bipolarny elementem korzystniejszym w układach analogowych, zwłaszcza w układach wzmacniaczy. Są też dalsze cechy tego elementu dające mu przewagę. W tablicy poniżej pokazane są główne różnice między tranzystorami MOS i bipolarnymi.

Tabela 2

Tranzystory bipolarne mają w układach analogowych wyraźną przewagę. Przez wiele lat układy analogowe były wykonywane wyłącznie przy użyciu tranzystorów bipolarnych. Dziś popularność technologii CMOS oraz względy ekonomiczne spowodowały, że układy analogowe CMOS są z powodzeniem stosowane, zwłaszcza jako bloki analogowe w układach typu „system on chip”.