Podręcznik

Tranzystor tunelowy MOS (ang. “tunnel field effect transistor” – TFET) ma strukturę podobną do zwykłego tranzystora MOS, ale źródło i dren są przeciwnego typu przewodnictwa (rysunek 5-9), a między nimi znajduje się półprzewodnik bardzo słabo domieszkowany.

Rysunek 5‑9. Przekrój przez tranzystor tunelowy TFET

Tranzystor zostaje włączony, gdy do drenu i bramki doprowadzone są dodatnie napięcia polaryzujące względem źródła. Przepływ prądu następuje w wyniku efektu tunelowego, co jest możliwe, gdy odległość między obszarami źródła i drenu jest bardzo mała. Zaletą tranzystora tunelowego jest bardzo mały prąd w tranzystorze wyłączonym, co w układach oznacza bardzo mały statyczny pobór mocy. Niestety prąd w stanie włączenia jest także bardzo mały, co powoduje, że tranzystor taki jest mało użyteczny. Poglądowe porównanie charakterystyk obu rodzajów tranzystorów pokazuje rysunek 5-10

Rysunek 5‑10. Poglądowe porównanie charakterystyk I_D=f(V_GS) tranzystorów MOS i TFET

Tranzystory TFET dotąd nie wyszły poza laboratoria badawcze.