Symulacja 1

Przykład: Charakterystyki statyczne tranzystora w konfiguracji WB

Plik wejściowy dla tego przykładu zawiera dane do analizy stałoprądowej tranzystora bipolarnego. Wyniki pozwalają prześledzić przebieg rodzin charakterystyk wejściowych i wyjściowych tranzystora. Należy zwrócić uwagę na wartości prądów i napięć oraz przebieg charakterystyk w pobliżu początku układu współrzędnych korzystając z powiększenia wykresów (zoom).

Plik wejściowy: ...statWB.cir

Symulacja 2

Przykład: Wpływ zmian temperatury na charakterystyki statyczne tranzystora w układzie WB

Symulacja służy zaobserwowaniu zmian charakterystyk statycznych I-U tranzystora bipolarnego w wyniku zmiany temperatury jego pracy. Analiza stałoprądowa wykonywana jest dla kilku wartości temperatury zadanych poleceniem .TEMP.

Po przedstawieniu na jednym wykresie charakterystyk I-U dla różnych temperatur można łatwo przeanalizować różnice występujące między nimi.

Plik wejściowy: ...tempWB.cir

Symulacja 3

Zadanie: Charakterystyki statyczne tranzystora w konfiguracji WE

Stworzyć plik wejściowy i przeprowadzić analizę stałoprądową tranzystora bipolarnego w konfiguracji WE. (Analogicznie jak w lekcji 5 - symulacja 1). Prześledzić przebieg rodzin charakterystyk wejściowych i wyjściowych tranzystora. Należy zwrócić uwagę na wartości prądów i napięć oraz przebieg charakterystyk w pobliżu początku układu współrzędnych korzystając z powiększenia wykresów (zoom).

Rozwiązanie dostępne w pliku: ...statWE.cir

Symulacja 4

Zadanie: Wpływ zmian temperatury na charakterystyki statyczne tranzystora w układzie WE

Stworzyć plik wejściowy i przeprowadzić obserwację zmian charakterystyk statycznych I-U tranzystora bipolarnego w wyniku zmiany temperatury jego pracy w konfiguracji WE.

Można wykorzystać model NPN1 z biblioteki modele.lib.

Rozwiązanie dostępne w pliku: ...tempWE.cir

Symulacja 5

Przykład: Analiza małosygnałowa tranzystora bipolarnego

Po wykonaniu symulacji tranzystora bipolarnego dla małej amplitudy sygnału zmiennego należy przeanalizować charakterystyki częstotliwościowe: amplitudową i fazową napięcia wyjściowego. Następnie na podstawie wykresów dyspersyjnych wzmocnienia prądowego w konfiguracji WE (IC/IB) oraz w konfiguracji WB (IC/IE) należy wyznaczyć częstotliwości graniczne badanego tranzystora. W tym celu wygodnie jest zmienić skale wykresu z liniowych na logarytmiczne.

Plik wejściowy: ...msyg.cir

Symulacja 6

Przykład: Przełączanie tranzystora bipolarnego

Przeprowadzić symulację, a następnie obejrzeć przebiegi czasowe sygnałów podczas przełączania tranzystora bipolarnego w konfiguracji WE. Należy przeanalizować przebiegi napięcia baza-emiter u_BE, prądu bazy i_B oraz prądu kolektora i_C na tle napięcia źródła wymuszającego.

Na podstawie otrzymanych wykresów wyznaczyć charakterystyczne opóźnienia występujące podczas przełączania.

Plik wejściowy: ...przel.cir