Podstawy mikroelektroniki

Podane są podstawowe informacje dotyczące fizyki p łprzewodnik w, niezbędne do zrozumienia działania p lprzewodnikowych element w elektronicznych oraz przedstawiono podstawowe informacje z zakresu technologii mikroelektronicznych.

Jest to drugi moduł bloku Podstawy Mikroelektroniki.

Moduł poświęcony jest modelowaniu element w diod p łprzewodnikowych. Om wione są zasady działania diody, parametry oraz charakterystyki tych element w.

Pierwsza część modułu poświęcona jest właściwościom stałoprądowym tranzystora bipolarnego, stanowiącego podstawowy element czynny (sterowany i wzmacniający) układ w scalonych bipolarnych, ale r wnież znajdującego zastosowanie jako element indywidualny, np. tranzystor mocy. Na podstawie analizy rozpływu nośnik w ładunku wprowadzono model Ebersa-Molla. W oparciu o koncepcję tego modelu sformułowano charakterystyki prądowo-napięciowe wykorzystując zależności ilościowe dla ...

Moduł poświęcony jest tranzystorom unipolarnym ­ gł wnie tranzystorowi MOS, podstawowemu składnikowi
cyfrowych układ w scalonych najwyższej skali integracji.
Na wstępie wymieniono rodzaje tranzystor w polowych i kr tko om wiono zasadę działania tranzystora
polowego ze złączem p­n.
Przeanalizowano stany p łprzewodnika przy powierzchni w zależności od napięcia polaryzacji bramki struktury
MIS, zdefiniowano napięcie progowe ­ najważniejszy parametr modelu tranzystora MOS oraz...

W rozdziale tym przedstawione są podstawowe informacje na temat specyfiki układ w realizowanych w technologiach mikroelektronicznych jako monolityczne układy scalone. Zaprezentowano podstawowe cechy tych układ w oraz rozwiązania technologiczne.