4. Wybrane rodzaje diod

4.2. Diody pojemnościowe

Diody pojemnościowe znajdują zastosowanie jako zmienne pojemności. Wykorzystuje się w tym celu możliwość regulowania napięciowego pojemności złączowej.

 

Przebieg charakterystyki pojemnościowo-napięciowej (rys. Rct) opisuje podstawowe właściwości diod pojemnościowych, stąd do parametrów charakterystycznych tych przyrządów należą:

  • pojemność maksymalna Cj0 dla UR=0 Wctu,
  • stosunek pojemności w wybranych punktach charakterystyki – zwykle pojemności maksymalnej do minimalnej:
 

\frac{C_{jmax}}{C_{jmin}}=\frac{C_{j0}}{C_{j}(U_{Rmax})},

(4.2)  

     

a ponadto na pracę tych diod w układzie wpływają:

  • rezystancja szeregowa Rs, indukcyjność wyprowadzeń L0, pojemność pasożytnicza obudowy C0 (rys. 2.1),

 

Istotnym parametrem roboczym diody pojemnościowej jest dobroć, którą definiuje się jako stosunek energii magazynowanej w pojemności do energii rozpraszanej w rezystancjach dla określonej częstotliwości sygnału:

 

Q=\frac{\omega C_{j}R_{u}}{1+\frac{R_{s}}{R_{u}}+\omega ^{2}C_{j}^{2}R_{s}R_{u}}

dla Rs << Ru            Q\approx \frac{1}{\frac{1}{\omega C_{j}R_{u}}+\omega C_{j}R_{s}},

(4.2)  

 

gdzie rezystancja upływu Ru odpowiada małej konduktancji złącza z rys. 2.1 dla polaryzacji zaporowej.

Na podstawie wzoru (3.14) można wyznaczyć pulsację optymalną i pulsacje graniczne:

 

 

\frac{\mathrm{d} Q}{\mathrm{d} \omega }=0\Rightarrow Q_{max}=\frac{1}{2}\sqrt{\frac{R_{u}}{R_{s}}},\: \: \omega _{opt}=\frac{1}{C_{j}\sqrt{R_{s}R_{u}}}

(4.3)  

 

 

 

Q\mid _{m.cz.}=1\Rightarrow \omega _{min}=\frac{1}{C_{j}R_{u}},

(4.4)  

 

 

 

Q\mid _{m.cz.}=1\Rightarrow \omega _{max}=\frac{1}{C_{j}R_{s}}.

(4.5)  

 

Dużą pulsację maksymalną można osiągnąć konstruując diodę o bardzo małej rezystancji szeregowej przez zastosowanie wysoko domieszkowanego podłoża w technologii epitaksjalno -planarnej. W takim przypadku ograniczeniem pulsacji maksymalnej jest pulsacja rezonansowa:

 

\omega _{max}=\frac{1}{\sqrt{C_{j}L_{0}}}.

(4.6)  

Możliwy jest taki dobór rozkładu koncentracji domieszek w bazie diody, dla którego pojemność złączowa jest w przybliżeniu kwadratową funkcją napięcia polaryzacji zaporowej i pulsacja rezonansowa liniowo zależy od tego napięcia.

 

Z punktu widzenia zastosowań (a w konsekwencji wymagań konstrukcyjnych) wyróżnia się dwa rodzaje diod pojemnościowych:

  • warikapy (Variable Capacitance) stosowane w zakresie mniejszych częstotliwości (do kilkuset MHz) jako zmienne pojemności np. w układach przestrajania obwodów rezonansowych,
  • waraktory (Variable Reaktor) stosowane w paśmie mikrofalowym jako zmienne reaktancje (pomijalna konduktancja złącza), np. we wzmacniaczach parametrycznych:

 

Uzupelnij opis obrazka

Rys. 4.2 Zasada działania wzmacniacza parametrycznego z waraktorem

 

Waraktor w obwodzie rezonansowym LC wzmacniacza parametrycznego jest sterowany tzw. napięciem pompującym o dwukrotnie większej częstotliwości od częstotliwości wzmacnianego sygnału w taki sposób, aby pojemność złączowa nagle zmniejszała się, gdy chwilowy ładunek zgromadzony w diodzie jest maksymalny. Powoduje to równoczesny wzrost napięcia sygnału wzmacnianego i energii obwodu. Zwiększanie pojemności, gdy napięcie sygnału jest równe zeru, nie powoduje zmian tej energii.