Poprzedni
Następny  

2. Model małosygnałowy tranzystora bipolarnego

2.2. Zakres małych częstotliwości

W tym zakresie można pominąć pojemności wewnętrzne tranzystora. Parametry h są wówczas liczbami rzeczywistymi i można je łatwo wyznaczyć analitycznie lub graficznie "metodą przyrostową" na podstawie charakterystyk statycznych:

 

 

h_{11e0}=\frac{\partial u_{BE}}{\partial i_{B}}\mid _{U_{CE}}\approx \frac{\Delta u_{BE}}{\Delta i_{B}}\mid _{U_{CE}}=\frac{U_{BE2}-U_{BE1}}{I_{B2}-I_{B1}}\mid _{U_{CE}}\:

 (2.13)
 

h_{12e0}=\frac{\partial u_{BE}}{\partial u_{CE}}\mid _{I_{B}}\approx \frac{\Delta u_{BE}}{\Delta u_{CE}}\mid _{I_{B}}=\frac{U_{BE2}-U_{BE1}}{U_{CE2}-U_{CE1}}\mid _{I_{B}}\:

 (2.14)
 

h_{21e0}=\frac{\partial i_{C}}{\partial i_{B}}\mid _{U_{CE}}\approx \frac{\Delta i_{C}}{\Delta i_{B}}\mid _{U_{CE}}=\frac{I_{C2}-I_{C1}}{I_{B2}-I_{B1}}\mid _{U_{CE}}\:

(2.15)

 
 

h_{22e0}=\frac{\partial i_{C}}{\partial u_{CE}}\mid _{I_{B}}\approx \frac{\Delta i_{C}}{\Delta u_{CE}}\mid _{I_{B}}=\frac{I_{C2}-I_{C1}}{U_{CE2}-U_{CE1}}\mid _{I_{B}}\:

 (2.16)

 

O wartościach parametrów h decydują nachylenia i przesunięcia między charakterystykami wejściowymi lub wejściowymi zmierzone w punkcie pracy:

 

Uzupelnij opis obrazka

Rys. 2.2 Rodzina statycznych charakterystyk wejściowych tranzystora bipolarnego

 

Uzupelnij opis obrazka

Rys. 2.3 Rodzina statycznych charakterystyk wyjściowych tranzystora bipolarnego

 

Charakterystyki statyczne prądowo-napięciowe tranzystora są nieliniowe. Zmianom punktu pracy towarzyszy zmiana wartości parametrów małosygnałowych, co ilustruje rys. Rhodic.

 

Uzupelnij opis obrazka

Rys. 2.4 Parametry h dla małych częstotliwości w funkcji prądu kolektora (normalizacja względem wartości odpowiadających IC = 1 mA)

 

Tab. 2.1 Przykładowe porównanie wartości parametrów h tranzystora w konfiguracji WE i WB

 

WE

WB

h11

1.1kW

21.6W

h12

2.5*10-4

2.9*10-4

h21

50

0.98

h22

25mS

0.49mS

1/h22

40kW

2.04MW
  Poprzedni
Następny