2. Definicje wzmocnienia

2.3. Wzmocnienie unilateralne

Przytoczone definicje pokazują, że wartość G zależy od generatora i obciążenia. Aby wyjaśnić ich rolę zdefiniujemy wzmocnienie unilateralne jako wzmocnienie obliczone w warunkach:

  

\mathrm{S_{12}=0};

(2-15)  

Graf przepływu sygnału upraszcza się wtedy istotnie i otrzymujemy:

  

 \mathrm{G_U=\frac{\left | S_{21} \right |^{2}(1-\left | \Gamma _G \right |^{2})(1-\left | \Gamma _L \right |^{2})}{\left | 1-\Gamma _G S_{11}\right |^{2}\left | 1 -S_{22}\Gamma _L\right |^{2}}};

(2-16)  

Wyrażenie na wzmocnienie unilateralne GU można zapisać jako iloczyn 3 czynników: 

  

\mathrm{G_U=G_1\left | S_{21} \right |^{2}G_2};

(2-17)  

G1 reprezentuje tutaj wpływ dopasowania wrót wejściowych:

  

\mathrm{G_1=\frac{(1-\left |\Gamma _G \right |^{2})}{\left |1-S_{11}\Gamma _G \right |^{2}}};

(2-18)  

G1 osiąga wartość maksymalną dla  \mathrm{\Gamma _G=S_{11}^{*}}:

  

\mathrm{G_{1MAX}=\frac{1}{1-\left | S_{11} \right |^{2}}};

(2-19)  

G2 reprezentuje wpływ dopasowania wrót wyjściowych:

  

\mathrm{G_2=\frac{(1-\left |\Gamma _L \right |^{2})}{\left |1-S_{22}\Gamma _L \right |^{2}}};

(2-20)  

G2 osiąga wartość maksymalną dla \mathrm{\Gamma _L=S_{2}^{*}} :

  

\mathrm{G_{2MAX}=\frac{1}{1-\left | S_{22} \right |^{2}}};

(2-21)  

Można teraz zapisać formułę końcową:

  

 \mathrm{G_{UMAX}=\frac{\left | S_{21} \right |^{2}}{(1-\left | S_{11}\right |^{2})(1-\left | S_{22}\right |^{2})}};

(2-22)  

Końcowy wniosek jest wielkiej wagi. Wzmocnienie tranzystora może być istotnie większe od wartości określonej transmitancją  |S21|2, jeżeli tylko odpowiednio dopasować dwuwrotnik. Wpływ obwodów dopasowujących jest oczywiście różny dla różnych częstotliwości.