Generatory mikrofalowe i modulacja częstotliwości

 Na rys.5.15A pokazano podstawową strukturę oscylatora tranzystorowego z diodą waraktorową. Obwód rezonansowy, z którym sprzężony jest waraktor może być konstruowany w rozmaity sposób. Może to być obwód typu LC ze skupioną indukcyjnością, może też zawierać elementy linii długiej. Przykład takiego obwody z odcinkami linii mikropaskowej pokazano na rys.5.15C. Obwód taki nadaje się szczególnie do wykonania w technologii układów scalonych hybrydowych albo monolitycznych. 
Szybkość przestrajania generatorów z diodami waraktorowymi jest bardzo duża. Częstotliwość oscylacji może być kontrolowana napięciem polaryzacji diody waraktorowej, co daje możliwość modulacji częstotliwości, zarówno analogowej jak i cyfrowej. Możliwość tą należy mieć na uwadze, gdyż jest to praktycznie jedyny sposób na modulację częstotliwości fali nośnej przez bezpośrednią ingerencję w warunek generacji. Modulację amplitudy albo fazy sygnału wykonuje się poza układem oscylatora.

 
 
 
Rys.5.15. Oscylator przestrajany waraktorem. A) Struktura obwodu oscylatora. B) Obwód przestrajania z dwiema indukcyjnościami. C) Obwód przestrajania na linii mikropaskowej.

Układy generatorów projektowane są zwykle z następnym stopniem wzmacniacza pełniącego rolę separatora pracy oscylatora od zmian obciążenia.