Podręcznik

Na rys. 3 przedstawiono ogólny schemat wtórnika emiterowego, zbudowanego przy użyciu tranzystora NPN .

Rys. 3: Wtórnik emiterowy z tranzystorem NPN, włączony pomiędzy źródło sygnału zmiennego eg(t) a obciążenie R_O

Fragmenty narysowane przerywaną linią,  w zależności od konkretnego zastosowania, występować mogą, ale nie muszą.  

Na przykład, jeśli wtórnik jest włączony pomiędzy dwa stopnie wzmacniające, najczęściej nie stosuje się ani kondensatorów C₁ i C₂, ani oddzielnego obwodu służącego do polaryzacji bazy. Tranzystor ma wówczas bazę spolaryzowaną takim napięciem, jakie panuje na wyjściu stopnia poprzedzającego, a z kolei sam - napięciem stałym występującym na emiterze tranzystora - polaryzuje kolejny stopień.

Kondensatory separujące (a zwłaszcza C₁) stosuje się tylko wtedy, kiedy zachodzi wyraźna potrzeba: na przykład wtedy, gdy przez źródło lub obciążenie nie może przepływać żaden prąd stały. Zastosowanie specjalnego obwodu do polaryzacji bazy tranzystora zmniejsza rezystancję wejściową wtórnika, a więc pogarsza jego właściwości.
    
Przykłady stałoprądowego dołączenia wtórnika do źródła i  obciążenia pokazuje rys. 4.

Rys. 4: Wtórnik emiterowy dołączony stałoprądowo do stopni wzmacniających w układzie WE

Należy pamiętać, że tak użyty wtórnik emiterowy wprowadza przesunięcie składowej stałej pomiędzy swoim wejściem a wyjściem o około 0,7 V, bo napięcie na emiterze wtórnika z tranzystorem NPN jest niższe o napięcie przewodzenia złącza emiterowego UBEP od napięcia na jego bazie. Oczywiście wtórnik zbudowany z tranzystora PNP przesunie napięcie w przeciwną stronę, czyli w górę.