Podręcznik

"Zajrzyjmy" teraz do wtórnika od strony wyjścia (czyli od strony emitera tranzystora użytego do zbudowania wtórnika emiterowego).

„Zobaczymy”, że:
- emiter tranzystora jest połączony z masą poprzez opornik R_E ,
- w tranzystorze, pomiędzy emiterem a bazą, jest oczywiście - tym razem widziana bezpośrednio - rezystancja dynamiczna złącza E-B, czyli  r_eb',
- baza tranzystora jest połączona z masą poprzez: a) rezystancję R_G, b) rezystancję R_B (oczywiście o ile ta rezystancja w ogóle jest). Obie te rezystancje "widać" jako połączone równolegle i tym razem (β+1) - krotnie mniejsze niż rzeczywiste.
Reasumując:

$r_{wy}=R_E∥(r_{eb"}+(R_G∥R_B)/(β+1))$

a w przypadku gdy nie ma odrębnego obwodu polaryzacji bazy:

$r_{wy}=R_E∥(r_{eb"}+R_G/(β+1))$

Jednak najczęściej β >> 1 i można dokonać uproszczenia:

$r_{wy}≈r_{eb"}+(R_G∥R_B)/β$

W tym miejscu warto się uważniej przyjrzeć dwóm skrajnym przypadkom, które często występują w praktyce:

a) rezystancja źródła sygnału i obwodu polaryzacji bazy jest znacząca i można uznać, że (R_G || R_B) /  >> r_eb'.
Wtedy:
    
$r_{wy}≈(R_G∥R_B)/β$

b) rezystancja źródła sygnału jest niewielka lub tranzystor pracuje przy małym prądzie I_E, więc dominuje r_eb'. Wówczas:

$r_{wy}≈r_{eb"}$

 Uwaga: rezystancja obciążenia R_O nie jest częścią wtórnika i nie wchodzi w skład jego rezystancji wyjściowej!