Podręcznik

Na rezystancję wyjściową wtórnika emiterowego składają się: przetransformowana oporność obwodu dołączonego do bazy wtórnika oraz oporność wyjściowa samego tranzystora, czyli rezystancja oznaczana w modelu tranzystora jako reb’ (r_eb’ = Φ_T / I_E):

$r_{WY}=r_{eb^\prime}+rDZ‖R2β1≈reb"+rDZβ1$

Dla małych prądów emitera oporność reb' może być dużo większa od r_DZ / β, więc nie należy oczekiwać, że zastosowanie wtórnika niejako „z definicji” poprawi rezystancję prostego stabilizatora równoległego z diodą Zenera albo innym pokrewnym układem ją zastępującym. Mało tego: jeśli rezystancja wewnętrzna stabilizatora równoległego jest mała (a w przypadku stabilizatorów typu TL 431 może ona wynosić ułamek oma), najczęściej „dołożenie” wtórnika emiterowego oznacza pogorszenie rezystancji wyjściowej. 
Reasumując: we współczesnych układach wtórnik emiterowy rzadko daje zysk w postaci zmniejszenia rezystancji wyjściowej stabilizatora, natomiast umożliwia znaczne zwiększenie jego obciążalności prądowej.

Aby uniknąć dużych wartości rW_Y, dla małych prądów obciążenia czasami stosuje się dociążający opornik R_E. Użycie opornika R_E sprawia, że prąd emitera płynie nawet wtedy, gdy do obciążenia nie płynie żaden prąd, albo gdy ten prąd jest znikomo mały. Dzięki temu oporność wyjściowa r_WY nigdy nie przyjmuje bardzo dużych wartości . Należy jednak zauważyć, że prąd stale płynący z wyjścia stabilizatora, zmniejsza jego sprawność energetyczną¹.

Reasumując, można zauważyć, że jeśli prąd emitera tranzystora jest mały, w rezystancji wyjściowej stabilizatora z wtórnikiem emiterowym najczęściej dominuje wpływ oporności r_eb', natomiast dla dużych prądów wyjściowych znaczenie r_eb' maleje i decydujące znaczenie zaczyna mieć przetransformowana oporność obwodu bazy² .

[1]  Formalnie w skład rezystancji wyjściowej wchodzi też opornik R_E, ale jego rezystancja jest prawie zawsze dużo większa niż rezystancja pozostałych składników i może być pominięta.
[2]  W przypadku obciążenia tego typu stabilizatora bardzo dużym prądem I_O, na rezystancję wyjściową ma również wpływ rezystancja rozproszona bazy tranzystora r_bb' (jest ona włączona w szereg z r_DZ||R₂), przetransformowana do obwodu emitera.