1. Złącze p-n

1.3. Charakterystyka prądowo-napięciowa

Charakterystyka I-U złącza p-n jest silnie asymetryczna. Zgodnie z (1.18) i (1.30) prąd całkowity można opisać zależnością:

 

 

I=I_{sq}[exp(\frac{U}{V_{T}})-1)]+I_{sw}[exp(\frac{U}{nV_{T}})-1)

(1.34)  

Dla polaryzacji zaporowej niewielki prąd wsteczny  jest sumą prądów nasycenia dla obszarów quasi-neutralnych i warstwy zaporowej i rośnie nieznacznie w funkcji napięcia tak, jak grubość warstwy zaporowej:

 

 

  I_{R}=I_{sq}+I_{sw}\approx \frac{qAn_{i^{2}}}{G_{B}}+\frac{qAn_{i}d}{2\tau _{r}}, (1.35)  

 

gdzie przyjęto złącze asymetryczne z krótką bazą, napięcie wsteczne UR>>VT, a liczbę Gummela określa wzór (1.27).

O wzajemnej relacji prądów nasycenia decyduje rodzaj półprzewodnika, ponieważ ich stosunek jest proporcjonalny do koncentracji samoistnej. Koncentracja ta jest wykładniczą funkcją temperatury, Isq rośnie szybciej od Isw, więc relacja prądów nasycenia też zależy od temperatury:

Uzupelnij opis obrazka

Rys. 1.14 Zależność prądów nasycenia od temperatury

 

Dla różnych materiałów półprzewodnikowych położenie punktu przecięcia wykresów na rys. Rnasyct względem temperatury 300 K jest różne. W temperaturze tej w złączach germanowych o względnie dużej koncentracji samoistnej (2.3.1013 cm-3),  Isq / Isw @ 10, natomiast w złączach krzemowych o szerszej przerwie energetycznej i niższej koncentracji samoistnej (1010 cm-3)   Isq / Isw @ 10-3, ale w temperaturze 450 K obie składowe w Si są zbliżone.

 

Dla odpowiednio dużej polaryzacji zaporowej dochodzi do przebicia złącza czyli gwałtownego wzrostu prądu wstecznego. Napięcie przebicia, któremu odpowiada ten skok wartości prądu maleje ze wzrostem koncentracji domieszek. W przypadku niesymetrycznego złącza krzemowego możne je oszacować korzystając ze wzoru empirycznego:

 

 

 

U_{BR}=6\cdot 10^{13}N_{B}^{-0.75}V

(1.36)  

 (dla koncentracji domieszek w bazie wyrażonej w cm-3).

O przebiciu złącza mogą decydować dwa zjawiska:

Przebicie Zenera  polega na przejściach tunelowych elektronów z pasma walencyjnego w obszarze p przez barierę potencjału w warstwie zaporowej do pasma przewodnictwa w obszarze n.

Uzupelnij opis obrazka

Rys. 1.13 Przejścia elektronów w zjawisku Zenera

 

Zjawisko to decyduje o przebiciu złącza silnie domieszkowanego ponieważ prawdopodobieństwo tunelowania jest znaczące tylko dla wąskiej bariery potencjału a spolaryzowanie złącza niewielkim napięciem zaporowym (nawet poniżej 5 V) wystarcza do zapewnienia odpowiedniej konfiguracji pasm energetycznych.

Przebicie lawinowespowodowane jest lawinowym przebiegiem generacji zderzeniowej par elektron-dziura. Generacja ta staje się możliwa, gdy energia kinetyczna nośników przyspieszonych w silnym polu elektrycznym warstwy zaporowej, uwolniona w trakcie rozproszenia, jest wystarcza do wzbudzenia elektronu ponad przerwę energetyczną.

Zjawisko to jest znaczące w złączu słabiej domieszkowanym, gdy warstwa zaporowa jest odpowiednio szeroka w porównaniu z długością drogi przelotu swobodnego nośników. Powielanie lawinowe decyduje zatem o przebiciu złącza dla wyższych napięć polaryzacji zaporowej (powyżej 8 V), gdy w szerokiej warstwie zaporowej wytworzone zostanie odpowiednio silne pole elektryczne. Zwielokrotnienie prądu wstecznego opisuje współczynik powielania:

 

 

  M=[1-(\frac{U_{R}}{U_{BR}})^{m}]^{-1},\: \: \: m\in (2\div 4)\: \: dla\: \: Si.

 

(1.37)  

Zakresy dominacji poszczególnych składowych prądu przewodzenia można wyróżnić wykreślając charakterystykę złącza we współrzędnych lnI = f(U).

Uzupelnij opis obrazka

Rys. 1.14 Charakterystyki prądowo-napięciowe złączy z Ge, Si, GaAs dla polaryzacji przewodzenia

 

W przypadku germanu relacja  Isq > Isw powoduje, że prąd rekombinacji w obszarach quasi-neutralnych przeważa w całym zakresie polaryzacji złącza w kierunku przewodzenia. Odwrotna relacja dla półprzewodników z szerszą przerwą energetyczną, takich jak krzem i arsenek galu, decyduje o większej wartości prądu rekombinacji w warstwie zaporowej dla niskich napięć polaryzacji złączy. Jednak składowa prądu rekombinacji w obszarach quasi-neutralnych szybciej rośnie w funkcji napięcia i dla wyższych napięć dominuje.

Dla wysokich napięć polaryzacji przewodzenia charakterystyka odchyla się od funkcji exp(U/VT), ponieważ w warunkach wysokich poziomów wstrzykiwania nośników pojawia się spadek napięcia na obszarach quasi-neutralnych określony przez:

  • pole elektryczne w obszarach quasi-neutralnych, wynikające z niepełnej kompensacji ładunku nadmiarowych nośników mniejszościowych przez nośniki większościowe (warunek quasi-neutralności nie jest spełniony),
  • spadek napięcia na rezystancjach obszarów p i n.

W praktyce problem sprowadza się do wpływu zastępczej rezystancji szeregowej złącza Rs.

 

 

 

I=I_{sq}[exp(\frac{U-IR_{s}}{V_{T}})-1].

(1.38)  

 

Naszkicować na jednym rysunku charakterystyki skokowych złączy p+-n o różnych koncentracjach domieszek w bazach (różnica stukrotna). Dla polaryzacji przewodzenia przyjąć skalę lg(I) = f(U).
Rozwiązanie
Zmiana koncentracji domieszek wpływa na przebieg charakterystyki prądowo-napięciowej w całym zakresie polaryzacji złącza. Zgodnie z (1.19) i (1.29) prądy nasycenia zależą od koncentracji domieszki w bazie następująco:
 J_{sq}\div p_{n0 }\div \frac{1}{N_{a}}, J_{sw}\div d\div \frac{1}{\sqrt{N_{a}}}.

100-krotny wzrost koncentracji domieszek w bazie powoduje zatem 100 krotne zmniejszenie prądu rekombinacji-generacji w obszarach quasi-neutralnych i 10-krotne w warstwie zaporowej. Ponadto zgodnie z (1.36) maleje napięcie przebicia złącza, a dla dużych prądów przewodzenia zmniejsza się spadek napięcia na rezystancji szeregowej. Rozwiązanie przedstawia rys. 1.15.

Uzupelnij opis obrazka

Rys. 1.15 Charakterystyki I-U złączy o różnych koncentracjach domieszek w bazie

 

Wpływ temperatury na charakterystykę prądowo-napięciową złącza p-n spowodowany jest:

  • wykładniczą zależnością koncentracji samoistnej od temperatury i tym samym prądów nasycenia Isq i Isw jak na rys. Rnasyct,
  • zmianą wartości potencjału termicznego w argumencie funkcji napięciowych Wiu,
  • wzrostem wartości rezystancji szeregowej ze wzrostem temperatury.

Uzupelnij opis obrazka

Rys. 1.16 Wpływ zmian temperatury na charakterystykę I-U złącza p-n dla polaryzacji przewodzenia

 

W zakresie typowych warunków pracy złączy, w okolicach 300 K zmiana spadku napięcia na złączu przy stałym prądzie przewodzenia wynosi około –2 mV/K.

W zakresie przebicia złącza wzrost temperatury powoduje:

  • zwężenie przerwy energetycznej i bariery potencjału dla tunelujących nośników, a w konsekwencji zmniejszenie napięcia przebicia Zenera,
  • wzrost intensywności rozpraszania termicznego nośników, skrócenie drogi przelotu swobodnego i tym samym zwiększenie napięcia przebicia lawinowego.

Uzupelnij opis obrazka

Rys. 1.17 Wpływ zmian temperatury na charakterystykę I-U złącza p-n dla polaryzacji zaporowej